抛光液专利

21200710013133这个专利是真的吗

轿面中浅层划伤的修补方法无权-未缴年费申请200710013133.2 申请日：2007-01-09摘要：本发明了轿车中浅层划伤的修补方法,它是按照以下步骤进行的:判断划痕深浅,调配修补液,清洁划痕,修补,固化,抛光;本发明将原来不能用抛光处理的中度划痕以及浅划痕用技术手段填补,抛光而且不用调色,达到了不伤原来车漆无包差,施工时间短,不污染环境,易于被车主接收的目的,真正达到了无痕修复,而且适合任何类别的漆面,如实色漆,金属闪光漆的各种漆膜。申请人： 孔凡星地址： 262300山东省日照市五莲县洪凝镇前旋子村发明(设计)人： 孔凡星

用于大规模集成电路化学机械抛光的新材料制备及应用

杨华明宋晓岚2113邱冠周

（中南大学无机材料系5261，湖南长4102沙 410083）

本项目是科技部国际合作重点项1653目。

一、内容简介

（一）目的与意义

世界半导体产业进入大尺寸晶圆时代后，要求IC元件有最优的表面平整度，以满足微米及亚微米集成电路的制造工艺。化学机械抛光（CMP）是目前全局平坦化中最好的技术，也是解决多层绝缘介质层和多层金属布线全程平坦化的唯一有效的办法，加工工艺简单、成本低。

CMPA光液和微米级磨料全球仅有少数供货商，国内半导体厂之需求皆仰赖进口，相对于国外进口的CMPA光液产品，国产的CMPA光液产品除新鲜外，还有价格适宜、送货迅速、配套服务与专业的技术支持及时等优点。

（二）关键技术

1.锆英砂-Al2O3体系的高温熔盐相平衡规律及颗粒分级技术的研究

锆英砂-Al2O3体系的高温熔盐相平衡的测定，利用XRD技术研究平衡物种的组成，确定形成高性能的ZrSiO4-α-Al2O3磨料的条件；研究超细粉碎与控制分级技术，确定得到粒度分布均匀、分散性良好且具有一定规律棱角的研磨料的工艺条件；开发出一种天然资源的高价值利用的途径，利用天然的锆英砂生产高附加值的电子器件研磨料。

2.复合纳米颗粒的制备与稳定分散技术

研究内容包括：通过纳米SiO2-Al2O3、SiO2-CeO2、Al2O3-CeO2的控制生长基础研究，确定球状纳米复合颗粒的形成条件，以及Na＋的脱除工艺条件；研究纳米复合粉体的表面化学性质和溶液化学性质；研究复合颗粒体系的悬浮液在不同离子强度、pH值及溶液性质条件下的颗粒表面电荷变化规律；研究浆料体系的动力性质、电学性质以及浆料聚沉作用机理和聚沉动力学，确定抛光液的稳定化工艺条件。在SiO2系、SiO2-Al2O3系、SiO2-CeO2系纳米粗抛和精抛液理论的基础上，开发具有国际先进水平的多种用途的CMP抛光浆料产品。

3.分子模拟技术研究抛光液的配方

以计算化学为基础，利用cerius2.0和gaussian 98等软件在SGI工作站上进行模拟抛光液中各组分和硅晶圆表面的相互作用，指导抛光液配方的设计。

二、推广应用

在国内外首次由天然锆英砂制备微米级研磨料及纳米颗粒的均一稳定化技术，其技术关键为均一的ZrSiO4-α-Al2O3相形成及合适的破碎分级技术和纳米颗粒的制备及均一稳定化技术和工艺。在高温熔盐相图方面，成功地采用神经网络技术预测多元熔盐体系的相图，并在KBr-MnSO4-CsCl体系中得到应用；在细粒分级技术研究方面，能在实验室得到平均粒径为7.21μm且粒径分布集中的ZrSiO4-α-Al2O3颗粒，说明以锆英砂为原料完全可以制备高档次的研磨料，但是该产品的核心技术还在于相图的控制以得到组分均匀的产品。其思路是先通过实验得到二元相图，然后通过神经网络技术模拟锆英砂中的主要杂质Fe2O3、MgO、CaO、TiO2的影响及熔化类型进行预测，确定平衡固相物种及组成，从而达到分离杂质得到均一的ZrSiO4-α-Al2O3产品的目的。

三、鉴定、获奖、专利情况

本项目已申请国家发明专利4项，相关产品已在国内一些单位进行了试用，效果较为理想，在半导体领域具有重大的推广价值。

文章转载自官方媒体或其他网站，版权归原创者所有。本站转载旨在使信息更广泛地传播以更好地发挥其价值, 如涉及版权等问题，请作者与本网站联系，本网站核实确认后会尽快予以处理。内容投诉邮箱：3003146132@qq.com。

想要进行版权登记、专利购买，商标买卖的相关服务，就来大鱼知产进行详细了解，更多专业知识与专业人士将为您服务到底，想要更快的了解版权登记、专利购买，商标买卖相关问题，我们来帮您。热线电话：13018202357，客服微信（13018202357）

以上就是大鱼知产平台为各位讲解的有关 抛光液专利 的介绍，相信各位对于商标申请注销的流程中需要注意和了解的事项，可以有一定的认识，若各位还想要了解更多有关专利行业资讯 的问题，欢迎到大鱼知产平台进行相关问题咨询吧！